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High Voltage MOSFET
N-Channel, Depletion Mode
Preliminary Data Sheet
IXTP 01N100D
IXTU 01N100D
IXTY 01N100D
V DSS = 1000 V
I D25 = 100 mA
R DS(on) = 110 Ω
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSX
V DGX
V GS
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C
Continuous
1000
1000
± 20
V
V
V
TO-220 (IXTP)
V GSM
I DSS
Transient
T C = 25°C; T J = 25°C to 150°C
± 30
100
V
mA
G
DS
D (TAB)
I DM
P D
T J
T JM
T C = 25°C, pulse width limited by T J
T C = 25°C
T A = 25°C
400
25
1.1
-55 ... +150
150
mA
W
W
°C
°C
TO-251 (IXTU)
G
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
-55 ... +150
300
°C
°C
D
S
D (TAB)
T ISOL
M d
Weight
Plastic case for 10 s (IXTU)
Mounting torque TO-220
TO-220
300
1.3 / 10
4
°C
Nm/lb.
g
TO-252 (IXTY)
TO-251
TO-252
0.8
0.8
g
g
G
S
D (TAB)
Pins: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source TAB - Drain
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
min. typ. max.
Features
V DSX
V GS(off)
I GSS
I DSX(off)
V GS = -10 V, I D = 25 μ A
V DS = 25V, I D = 25 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSX , V GS = -10 V
T J = 125 ° C
1000
-2.5
-5
± 100
10
250
V
V
nA
μ A
μ A
Normally ON mode
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Fast switching speed
Applications
Level shifting
R DS(on)
I D(on)
V GS = 0 V, I D = 50 mA
V GS = 0 V, V DS = 25V
Note 1
Note 1
90
100
110
Ω
mA
Triggers
Solid state relays
Current regulators
? 2006 IXYS All rights reserved
98809B (01/06)
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